| The present invention proposes a method for forming a masking image in positive electronic resists, which method comprises direct etching of a resist directly during exposure to an electron beam in a vacuum. | В данном изобретении предложен способ формирования маскирующего изображения в позитивных электронных резистах, состоящий в прямом травлении резиста непосредственно в процессе экспонирования пучком электронов в вакууме. |
| METHOD FOR FORMING A MASKING IMAGE IN POSITIVE ELECTRONIC RESISTS | СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАСКИРУЮЩЕГО ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПОЗИТИВНЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ РЕЗИСТАХ |