| The invention makes it possible to increase the photostability of the semiconductor quantum dots up to 34% and the capacity thereof to be dispersed in both, non-polar and polar solvents, so that the quantum yields are preserved and increased. | Технический результат: повышение фотостабильности полупроводниковых квантовых точек до 34 %, способность диспергироваться как в неполярных, так и в полярных растворителях, при сохранении и увеличении квантового выхода. |
| An improved signal-to-noise ratio and markedly better detection limits are achieved due to the higher radiation density of the light source and also the use of a CCD semiconductor detector with enormously increased quantum efficiency! | Улучшенное соотношение сигнал-шум и более низкие пределы обнаружения достигаются благодаря высокой плотности излучения источника, а использование системы полупроводниковых CCD-детекторов позволяет увеличить квантовый выход. |
| Most notably, in 1963 he proposed the concept of the double-heterostructure laser, which is now a central concept in the field of semiconductor lasers. | В 1963 году он разработал принципы лазеров на двойных гетероструктурах - основе полупроводниковых лазеров. |
| The present invention relates to the field of semiconductor devices, and more particularly to a heterostructure based on a solid solution of GalnAsSb with a reverse p-n junction, a method for producing same and a light emitting diode based on said heterostructure. | Настоящее изобретение относится к области полупроводниковых приборов, в частности к гетероструктуре на основе твердого раствора GalnAsSb со встречным p-n переходом, способу ее изготовления и светодиоду на основе этой гетероструктуры. |
| A common potential electrode is connected to one side of the resulting matrix surface, and on the other side, individual electrodes are installed on each of the semiconductor cells of the matrix. | К полученной матричной поверхности с одной стороны присоединяют общий потенциальный электрод, а с другой стороны производят монтаж индивидуальных электродов к каждой из полупроводниковых ячеек матрицы. |
| Each of the semiconductor elements (1) and (2) consists of two parts which are spaced apart from one another and are connected to one another by a metallic conductor (6). | Каждый из полупроводниковых элементов (1) и (2) состоит из двух разнесенных частей, соединенных между собой металлическим проводником (6). |
| An LED radiation source comprises at least one or more semiconductor light emitters of monochromatic radiation in the ultraviolet or visible range, a light emitter holder to which outputs are connected, a radiator, and a cover lens. | Светодиодный источник излучения содержит, по меньшей мере, один или несколько полупроводниковых излучателей света с одноцветным излучением ультрафиолетового или оптического диапазона, держатель излучателей света с присоединительными выводами, радиатор и покровную линзу. |
| All of these DC stator windings are significantly simpler than three-phase AC stator windings and induce DC travelling magnetic fields with the aid of semiconductor control valves. | Все эти статорные обмотки постоянного тока значительно проще статорных трехфазных обмоток переменного тока и создают бегущие магнитные поля постоянного тока с помощью полностью управляемых полупроводниковых вентилей. |
| Lasers fabricated from such an active media exhibit device performance that is closer to gas lasers, and avoid some of the negative aspects of device performance associated with traditional semiconductor lasers based on bulk or quantum well active media. | Лазеры, изготовленные на таких активных средах, обладают характеристиками, похожими на характеристики газовых лазеров, и в них удаётся избежать некоторых негативных аспектов устройств, которые имеются у традиционных полупроводниковых лазеров с активной средой на основе объёмных структур или на квантовых ямах. |
| In other words, to erase your EPROM, you would first have to X-ray it and then put it in an oven at about 600 degrees Celsius (to anneal semiconductor alterations caused by the X-rays). | Иными словами, чтобы стереть EPROM, вы должны применить источник рентгеновского излучения, а затем поместить чип в духовку при температуре около 600 градусов по Цельсию (для отжига полупроводниковых изменений, вызванных рентгеновскими лучами).» |
| a. Items specially designed for the manufacture, assembly, packaging, test, and design of semiconductor devices, integrated circuits and assemblies with a minimum feature size of 1.0 micrometers, .including: | а. Средства, специально предназначенные для производства, сборки, упаковки, проверки и проектирования полупроводниковых устройств, интегральных схем и сборных устройств, обладающих минимальным размером в 1,0 микрометра, включая: |
| DEVICE FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR PLATES | УСТАНОВКА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |
| The invention relates to vacuum engineering and can be used for processing semiconductor plates and for carrying out a process for the plasma etching of semiconductor plates or a process for applying dielectric films and metal sputtering. | Полезная модель относится к вакуумной технике для обработки полупроводниковых пластин и может быть использована для проведения процесса плазменного травления полупроводниковых пластин или процесса нанесения диэлектрических пленок и напыления металлов. |
| The invention relates to the production of semiconductor devices, in particular to epitaxial growth methods and can be used for developing semiconductor lasers: light-emitting diodes operating in the ultra-violet spectral range. | Полезная модель принадлежит к способам изготовления полупроводниковых приборов, а именно способов эпитаксиального выращивания и может найти применение при создании полупроводниковых лазеров: свето диодов, которые имеют рабочий диапазон в ультрафиолетовой области спектра. |
| The invention relates to semiconductor voltage limiters, Zenner diodes, varactors and other semiconductor devices and can be used for protecting electronic devices against overvoltage and for designing and producing said devices. | Использование: изобретение относится к области полупроводниковых ограничителей напряжения, диодов Зеннера, варакторов и других полупроводниковых приборов и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений, а также при конструировании и технологии создания названных приборов. |
| Claimed is a group of inventions, more particularly a method and a reactor for carrying out the method, which relate to technology for producing a new class of semiconductor materials and semiconductor nano-materials which can be used in creating a new generation of semiconductor and nano-semiconductor devices. | Заявляется группа изобретений - способ и реактор для осуществления способа, которые относятся к технологии получения нового класса полупроводниковых материалов и полупроводниковых наноматериалов, которые могут быть использованы при создании полупроводниковых и нано-полупроводниковых приборов нового поколения. |
| According to the industry, the delay is a necessary function of the semiconductor technology development cycle: technological innovations generally require 10 years of further development before they can be reflected in high volume manufacturing. | По мнению компаний отрасли, такая задержка неизбежна ввиду особенностей цикла разработки полупроводниковых технологий: для внедрения новых технических достижений в крупномасштабное производство обычно требуется десять лет дополнительных разработок. |
| Making a semiconductor device processing Conventional Section: p. 202, 3.B..f. | Примечание 2 Обзорный статус полупроводниковых «лазеров», специально предназначенных для другого оборудования, определяется обзорным статусом этого другого оборудования. |
| This allows quantum dot lasers to be fabricated to operate at wavelengths previously not possible using semiconductor laser technology. | Появилась возможность производить лазеры на квантовых точках для работы на таких длинах волн, на которых ранее сделать это не представлялось возможным с использованием прежних технологий полупроводниковых лазеров. |
| The goal of present research is to study the float zone growth process of binary and tertiary semiconductor materials. | Проводимые в настоящее время исследования направлены на изучение процесса выращивания бинарных и третичных полупроводниковых материалов методом зонной плавки. |
| Manufactured from a compound semiconductor and operating at a clock frequency exceeding 40 MHz; or | Изготовленные на полупроводниковых соединениях и работающие на тактовой частоте, превышающей 40 МГц; или |
| In 1963 after successful graduation from the university he entered the post-graduate department of the same university, resulted in the PhD thesis in the field of semiconductor compounds(1969). | В 1963 году, после успешного окончания университета, он поступил в аспирантуру, результатом которой явилась кандидатская диссертация в области физики полупроводниковых соединений(1969). |
| The thickness of the semiconductor area of the horizontal Hall sensor differs from the thickness of the semiconductor area of the vertical Hall sensor. | Толщина полупроводниковой области горизонтального преобразователя Холла отличается от толщины полупроводниковых областей вертикальных преобразователей Холла. |
| The invention relates to novel and improved thin semiconductor films and to methods for producing thin crystalline semiconductor films which are applicable to different types of substrates. | Изобретение обеспечивает новые и улучшенные тонкие пленки полупроводников и методы изготовления кристаллических полупроводниковых тонких пленок, которые могут быть прикреплены к различным видам подложек. |
| The acquisition also brought to National Semiconductor two experts in linear semiconductor technologies, Robert Widlar and Dave Talbert, who were also formerly employed at Fairchild. | Сделка принесла компании National Semiconductor новые ценные кадры - экспертов в области линейных полупроводниковых технологий Дэйва Талберта (англ. Dave Talbert) и Роберта Видлара (англ. Robert Widlar), которые также ранее работали в Fairchild. |