| Said invention makes it possible to improve the quality of a semiconductor plates by reducing the number of defects on the working surface thereof | В результате происходит повышение качества полупроводниковых пластин за счет уменьшения количества дефектов их рабочей поверхности. |
| If the semiconductor chips are improved (as predicted by Moore's law), the number of reads per chip (and therefore per run) should increase. | Прогресс в области полупроводниковых чипов (предсказанный законом Мура), позволяет ожидать, что количество операций чтения на чип (и, следовательно, на прогон) должно возрасти. |
| However, being a famous scientist in the field of semiconductor compounds properties investigation, Ernest Arushanov is a frequent guest in the laboratories of various countries (including Germany, Spain, France and many others), where he is engaged in completely diverse studies. | Однако, будучи известным учёным в области исследования свойств полупроводниковых соединений, Эрнест Арушанов является частым приглашенным в лаборатории различных стран (среди которых Германия, Испания, Франция и многие другие), где он участвует в совершенно разнообразных исследованиях. |
| The USML-1 mission provided new insights into theoretical models of fluid physics, the role of gravity in combustion and flame spreading, and how gravity affects the formation of semiconductor crystals. | Полёт USML-1 дал новое понимание теоретических моделей физики жидкостей, роль гравитации при горении и распространении пламени, и, как гравитация влияет на формирование полупроводниковых кристаллов. |
| Over a 15-day period experiments were performed on board the satellite to obtain, under microgravity conditions, semiconductor materials with improved properties and optical glass with a variable reflective index, and to carry out biological research. | В течение 15 суток на борту спутника проводились эксперименты по получению в условиях микрогравитации полупроводниковых материалов с улучшенными свойствами, оптических стекол с переменным показателем преломления и биологические исследования. |
| Development of software for two-dimensional numerical simulation of semiconductor devices; application to the design of new photovoltaic devices for land-based use with low-level injection | Разработка программного обеспечения для цифрового двоичного моделирования полупроводниковых устройств, применение для проектирования новых фотоэлектрических устройств, используемых в наземных условиях при малой освещенности |
| Regulations are currently in place giving effect to over 10 EC Council decisions to extend the legal protection of topographies of semiconductor products in respect of persons from certain third countries and territories. | В настоящее время действуют правила, вводящие в действие более 10 решений Совета ЕС, о распространении правовой охраны топологий полупроводниковых продуктов на лиц из некоторых третьих стран и территорий. |
| This right includes the right to authorize or prohibit the reproduction or commercial exploitation or importation for that purpose of a topography or of a semiconductor product manufactured by using the topography. | Это право предусматривает возможность разрешать или запрещать воспроизводство и коммерческое использование топологии и полупроводниковых продуктов, произведенных с использованием этой топологии, и их импорт с указанными целями. |
| Sorab Ghandhi in "Theory and Practice of Microelectronics" (1968) wrote that the patents of Lehovec and Hoerni were the high point of semiconductor technology of the 1950s and opened the way for the mass production of ICs. | Сораб Ганди в «Теории и практике микроэлектроники» (1968) писал, что патенты Леговца и Эрни стали высшей точкой полупроводниковых технологий 1950-х годов, и открыли путь к серийному производству ИС. |
| The invention relates to techniques for producing high-purity semiconductor materials for the electronics and electrical industries and for solar power engineering, and more specifically relates to a method for producing silicon filaments in the form of bars and/or wafers of arbitrary cross-section from high-purity silicon. | Изобретение относится к технологии получения высокочистых полупроводниковых материалов для электронной, электротехнической промышленности и солнечной энергетики, в частности к способу получения кремниевых филаментов в виде прутков и/или подложек произвольного сечения из высокочистого кремния. |
| The invention relates to the field of lighting engineering, and specifically to lighting devices and/or light sources using semiconductor devices, namely light-emitting diodes, and can be used as a light-emitting diode light source for street lighting, industrial lighting and architectural and designer lighting. | Изобретение относится к области светотехники, а именно к осветительным устройствам и/или источникам света с использованием полупроводниковых устройств - свето диодов и может быть использовано в качестве светодиодного источника света для уличного, промышленного и архитектурно-дизайнерского освещения. |
| The present invention relates to technology for producing spontaneous emission sources based on semiconductor compounds of the AIIIBV type for a spectral range of 2.6-4.7 microns and to technology for producing photosensitive structures for a spectral range of 2.0-4.7 microns. | Настоящее изобретение относится к технологии изготовления источников спонтанного излучения на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV для спектрального диапазона 2,6-4,7 мкм и к технологии изготовления фоточувствительных структур для спектрального диапазона 2,0-4,7 мкм. |
| In 2001, he graduated from the Electronics Department with a degree in Engineering of Microelectronics and Semiconductor Devices. | Окончил факультет электроники в 2001 году по специальности инженер микроэлектроники и полупроводниковых приборов. |
| GROWTH MANIPULATOR OF A VACUUM CHAMBER USED FOR GROWING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES | РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР |
| DEVICE FOR THE PLASMA ETCHING OF SEMICONDUCTOR PLATES AND/OR FOR FORMING DIELECTRIC FILMS THEREON | УСТАНОВКА ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН И/ИЛИ ОБРАЗОВАНИЯ НА НИХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК |
| In 1962, the Department of Semiconductor Materials and Devices was opened at the Moscow Institute of Steel, and the University, which overgrew the scope of ferrous metallurgy, was renamed into Moscow Institute of Steel and Alloys. | В 1962 году в МИС был открыт факультет полупроводниковых материалов и приборов, а вуз, давно переросший рамки чёрной металлургии, был переименован в Московский институт стали и сплавов. |
| No techniques had been reported for making two-dimensional or rod-shaped semiconductor nanocrystals that would also be of uniform size. | Не было сообщений о методах изготовления двумерных или стержневых полупроводниковых нанокристаллов одинакового размера. |
| The invention relates to heterostructures used for semiconductor devices, mainly for field-effect transistors. | Изобретение относится к гетероструктурам полупроводниковых приборов, главным образом, полевых транзисторов. |
| Altogether 721 steel samples were measured by semiconductor gamma spectrometry. | В общей сложности при помощи полупроводниковых гамма-спектрометров был обследован 721 образец стали. |
| The claimed design makes it possible to produce a light source that is comparable to an incandescent lamp but with all the advantages of semiconductor light emitters. | Заявленная конструкция позволяет создать источник излучения, являющийося аналогом лампы накаливания со всеми достоинствами полупроводниковых излучателей света. |
| William Shockley had in 1956 recruited a group of young PhD graduates with the goal to develop and produce new semiconductor devices. | В 1956 году Шокли набрал команду талантливых молодых специалистов для разработки и запуска в производство новых полупроводниковых приборов. |
| The Afamia experiment to produce high-quality unilateral semiconductor crystals in the state of weightlessness. | эксперимент "Афамия", преследовавший цель выращивания высококачественных полупроводниковых монокристаллов в условиях невесомости; |
| Molecular beam epitaxy (MBE) has been used since 2000 to create high-quality semiconductor wires based on the VLS growth mechanism. | Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) с начала 2000-х используется для создания высококачественных полупроводниковых нитей, в основе которого лежит ПЖК-механизм роста. |
| The invention relates to technical physics, I.e. electronics and can be used for producing microassamblies such as high-accuracy low-nose transistors, UHF-transistors, microcircuits, microdiodes, microthyristors and other semiconductor elements for microprocessor engineering, power circuits, automatic process control systems and REA. | Изобретение относится к технической физике: микроэлектронике и может использоваться при изготовлении микросборок: сверхточных малошумящих транзисторов, СВЧ-транзисторов, -микросхем, -диодов, -тиристоров и др. полупроводниковых элементов для микропроцессорной техники, силовых цепей, АСУТП, РЭА. |
| The scientific activity of Dr. A.V. Karimov is closely related to the investigation of physical phenomena and processes in epitaxial multilayer structures and development of their physical basics as well as creation of a novel class of semiconductor devices. | Научная деятельность Абдулазиз Каримова связана с изучением физических явлений и процессов в эпитаксиальных многослойных структурах и разработкой их физических основ, созданием нового класса полупроводниковых приборов. |