| CHF3 is used in the semiconductor industry in plasma etching of silicon oxide and silicon nitride. | CHF3 используется в полупроводниковой промышленности при плазменном травлении оксида кремния и нитрида кремния. |
| In the second stage, a mixture comprising cubic boron nitride powder, metallic aluminium, a high-melting metal carbide and a catalyst is prepared. | На втором этапе готовят смесь, содержащую порошок кубического нитрида бора, металлический алюминий, карбид тугоплавкого металла и катализатор. |
| The invention relates to the production of cubic boron nitride for the subsequent manufacturing of superhard composites. | Изобретение относится к получению кубического нитрида бора для последующего изготовления сверхтвердых композитов. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| The technical result is a decrease of the corrosion rate of the materials of the container containing the melt, and an increase in the quality of the single crystals of gallium nitride obtained. | Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия. |
| The problem to be solved by the invention is the creation of a method for growing single crystals of gallium nitride with a composition of flux that is chemically inert with respect to the majority of the construction materials used for the manufacturing of the containers. | Задачей, на решение которой направлено изобретение, является создание способа выращивания монокристаллов нитрида галлия с составом флюса, являющимся химически инертным по отношению к большинству конструкционных материалов, используемых для изготовления контейнеров. |
| The compacted powder is placed in a chamber and subjected to thermobaric action with a pressure of 5.3-5.8 GPa at a temperature of 1380-1580ºC for 12-20 s, followed by pulverizing of the cake and extraction of the cubic boron nitride powder by a gas or liquid classification method. | Уплотненный порошок размещают в камере и подвергают термобарическому воздействию давлением 5,3-5,8 ГПа при температуре 1380-1580ºС в течение 12-20 с, с последующим измельчением спека и вьщелением порошка кубического нитрида бора методом газовой или жидкостной классификации. |
| The cubic γ-Si 3N 4 is often designated as c modification in the literature, in analogy with the cubic modification of boron nitride (c-BN). | Кубическая γ-Si3N4 форма часто называется «с-модификацией» в литературе, по аналогии с кубической модификацией нитрида бора (с-BN). |
| A mixture comprising hexagonal boron nitride powder, a catalyst powder and a modifying additive containing nano-sized particle fractions is prepared, and preliminary compaction is carried out in a mould. | Готовят смесь, содержащую порошок гексагонального нитрида бора, порошок катализатора и модифицирующую добавку с частицами наноразмерных фракций, и осуществляют предварительное уплотнение в пресс-форме. |
| The inventive method for producing said powder composite mixture consists in preparing a melt containing aluminium, silicon and nickel and, subsequently, in pulverising said melt by nitrogen at a temperature and pressure which enable the aluminium nitride to be formed. | Способ получения заявленной композиционной смеси включает приготовление расплава, содержащего алюминий, кремний никель и фосфор, и последующее распыление расплава азотом при давлении и температуре, обеспечивающих образование нитрида алюминия. |
| I'm combining a multistage, ultraviolet treatment with hybrid silicon nitride materials | Я скомбинировал многоступенчатую, ультрафиолетовую обработку с гибридными материалами из нитрида кремния |
| METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF GALLIUM NITRIDE | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |
| METHOD FOR PRODUCING CUBIC BORON NITRIDE POWDER | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА |
| Microbor Nanotech is a new generation manufacturer of composite materials based on micro- and nano - crystalline Cubic Boron Nitride (CBN and NCBN) and cutting tools made of these materials. | Компания МИКРОБОР НАНОТЕХ является производителем нового поколения композитных материалов из Кубического Нитрида Бора (КНБ) и нано КНБ (НКНБ) и инструментов из них. |
| It is used in electronics microfabrication alone or in combination with oxygen as a plasma etchant for silicon, silicon dioxide, and silicon nitride. | В микроэлектронике, отдельно, или в сочетании с кислородом в процессах плазменного травления на кремния, диоксида кремния или нитрида кремния. |
| In the first stage, a cubic boron nitride powder comprising fractions of a minimum of 25% having particle sizes of less than 100 nm is produced by sintering hexagonal boron nitride powder in the presence of a catalyst in a high-pressure chamber for 1-15 sec. | На первом этапе получают порошок кубического нитрида бора, содержащий не менее 25% фракций с размерами частиц менее 100 нм, путем спекания порошка гексагонального нитрида бора в присутствии катализатора в камере высокого давления в течение 1-15 сек. |