| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| The problem to be solved by the invention is the creation of a method for growing single crystals of gallium nitride with a composition of flux that is chemically inert with respect to the majority of the construction materials used for the manufacturing of the containers. | Задачей, на решение которой направлено изобретение, является создание способа выращивания монокристаллов нитрида галлия с составом флюса, являющимся химически инертным по отношению к большинству конструкционных материалов, используемых для изготовления контейнеров. |
| The compacted powder is placed in a chamber and subjected to thermobaric action with a pressure of 5.3-5.8 GPa at a temperature of 1380-1580ºC for 12-20 s, followed by pulverizing of the cake and extraction of the cubic boron nitride powder by a gas or liquid classification method. | Уплотненный порошок размещают в камере и подвергают термобарическому воздействию давлением 5,3-5,8 ГПа при температуре 1380-1580ºС в течение 12-20 с, с последующим измельчением спека и вьщелением порошка кубического нитрида бора методом газовой или жидкостной классификации. |
| Microbor Nanotech is a new generation manufacturer of composite materials based on micro- and nano - crystalline Cubic Boron Nitride (CBN and NCBN) and cutting tools made of these materials. | Компания МИКРОБОР НАНОТЕХ является производителем нового поколения композитных материалов из Кубического Нитрида Бора (КНБ) и нано КНБ (НКНБ) и инструментов из них. |
| In the first stage, a cubic boron nitride powder comprising fractions of a minimum of 25% having particle sizes of less than 100 nm is produced by sintering hexagonal boron nitride powder in the presence of a catalyst in a high-pressure chamber for 1-15 sec. | На первом этапе получают порошок кубического нитрида бора, содержащий не менее 25% фракций с размерами частиц менее 100 нм, путем спекания порошка гексагонального нитрида бора в присутствии катализатора в камере высокого давления в течение 1-15 сек. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| Found that he was gathering Intel on a semiconductor called Gallium Nitride. | Обнаружили, что он собирал информацию на полупроводник, называющийся нитрид галлия. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| A specialised titanium nitride (TiN) plating on the tap and drill add extra durability and excellent resistance to abrasion. | Специальное покрытие нитрид титана (TiN) на метчике/плашке и сверле увеличивает их срок службы и сопротивление абразивному износу. |
| Aluminium nitride is stable in hydrogen and carbon dioxide atmospheres up to 980 ºC. The material dissolves slowly in mineral acids through grain boundary attack, and in strong alkalies through attack on the aluminium nitride grains. | Нитрид алюминия устойчив в атмосферах водорода и углекислого газа до 980 ºC. Материал медленно распадается в неорганических кислотах при контакте жидкости с границами зёрен, как и в случае с сильными щелочами. |
| Found that he was gathering Intel on a semiconductor called Gallium Nitride. | Обнаружили, что он собирал информацию на полупроводник, называющийся нитрид галлия. |
| Confirmation that Spears did steal data on Gallium Nitride. | Подтвердилось, что Спирс крал информацию по нитриду галлия. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. | Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. |
| This is all about Gallium Nitride. | Все дело в нитриде галлия. |