| In the paper modern technologies of ferroelectric| thin films, methods of construction of radiomeasuring | microelectronic transformers of temperature are analyzed. | Проанализированы современные технологии получения тонких сегнетоэлектрических пленок, методы построения радиоизмерительных микроэлектронных преобразователей температуры. |
| Uncooled infrared thermographic camera: Detectors made of temperature-dependent pyroelectric and ferroelectric materials which form pixels that are read electronically thus forming images. | Неохлаждаемая инфракрасная термографическая камера: Детекторы, изготовленные из зависящих от температуры пироэлектрических и сегнетоэлектрических материалов, которые образуют пиксели, которые считываются электронным способом, образуя изображения. |
| There is ongoing research on addressing the problem of stabilizing ferroelectric materials; one approach, for example, uses molecular adsorbates. | На данный момент ведутся исследования, посвященные проблеме стабилизации сегнетоэлектрических материалов; одним из решений, например, является использование молекулярных адсорбатов. |
| The first description of electrogyration effect induced by the biasing field and spontaneous polarization at ferroelectric phase transitions has been proposed by K. Aizu in 1963 on the basis of third-rank axial tensors (the manuscript received on September 9, 1963). | Впервые описание электрогирационного эффекта, индуцированного электрическим полем и спонтанной поляризацией при сегнетоэлектрических фазовых переходах, по-видимому, было предложено К.Аизу в 1963 г.(статья поступила в редакцию 9-го сентября 1963 г.). |
| But the main hindrance is that a very small photocurrent is generated in ferroelectric materials like LiNbO3, which is due to its large bandgap and low conductivity. | Но основным препятствием является то, что в сегнетоэлектрических материалах, таких как LiNbO3, возникает очень небольшой фототок, что обусловлено его большой шириной запрещенной зоны и низкой проводимостью. |
| In a DRAM cell capacitor, a linear dielectric is used, whereas in an FeRAM cell capacitor the dielectric structure includes ferroelectric material, typically lead zirconate titanate (PZT). | В конденсаторе DRAM-ячейки используется линейный диэлектрик, тогда как в конденсаторе FeRAM-ячейки применяется диэлектрическая структура, включающая в себя сегнетоэлектрик, обычно его роль играет пьезокерамика цирконат-титанат свинца (PZT). |
| A ferroelectric material has a nonlinear relationship between the applied electric field and the apparent stored charge. | Сегнетоэлектрик обладает нелинейной связью между приложенным электрическим полем и хранимым зарядом. |
| SMALL-SIZE FERROELECTRIC ANTENNA AND METHOD FOR OBTAINING THE ACTIVE ELEMENT OF THE ANTENNA WORKING BODY | МАЛОГАБАРИТНАЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ АНТЕННА И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАБОЧЕГО ТЕЛА АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА АНТЕННЫ |
| An alternative memory ready for use is ferroelectric RAM (FRAM or FeRAM). | Единственной альтернативной технологией памяти, готовой к коммерческому использованию, является FRAM (сегнетоэлектрическая память, FeRAM). |
| Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. | Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. |
| The dielectric constant of a ferroelectric is typically much higher than that of a linear dielectric because of the effects of semi-permanent electric dipoles formed in the crystal structure of the ferroelectric material. | Диэлектрическая константа сегнетоэлектрика, как правило, значительно выше, чем у линейного диэлектрика, вследствие эффекта полупостоянных электрических диполей, формируемых в кристаллической структуре сегнетоэлектрического материала. |
| Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. | Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. |
| A range is also proposed for selecting the thickness of the ferroelectric liquid-crystal layer and the condition for implementing the dielectric coating, a low-volt power element and the electronic driver. | Предложен также интервал для выбора толщины слоя СЖК и условия на выполнение диэлектрического покрытия, низковольтного элемента питания и электронного драйвера. |
| Achromatic reproduction of stereo images (i.e. without colour distortion) is enabled by the choice of thickness of the layer of ferroelectric liquid crystal from within a given range of values. | Ахроматическое (без цветовых искажений) воспроизведение стереоизображения обеспечивается выбором толщины слоя СЖК в заданном интервале значений. |