| The dielectric constant of a ferroelectric is typically much higher than that of a linear dielectric because of the effects of semi-permanent electric dipoles formed in the crystal structure of the ferroelectric material. | Диэлектрическая константа сегнетоэлектрика, как правило, значительно выше, чем у линейного диэлектрика, вследствие эффекта полупостоянных электрических диполей, формируемых в кристаллической структуре сегнетоэлектрического материала. |
| Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. | Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. |