| Molecular beam epitaxy (MBE) has been used since 2000 to create high-quality semiconductor wires based on the VLS growth mechanism. | Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) с начала 2000-х используется для создания высококачественных полупроводниковых нитей, в основе которого лежит ПЖК-механизм роста. |