| The D92, D92A, D94 and D98 (also known as the C92D, C92AD, C94D and C98D respectively) variants were equipped with slower, but higher-density DRAM memory, allowing increased maximum memory sizes of up to 16 GB, depending on the model. | D92, D92A, D94 и D98 (также известные как C92D, C92AD, C94D и C98D соответственно) были оснащены медленной, но высокоплотной DRAM, позволяющей увеличить максимальный размер памяти до 16 Гб, в зависимости от модели. |
| The density of FeRAM arrays might be increased by improvements in FeRAM foundry process technology and cell structures, such as the development of vertical capacitor structures (in the same way as DRAM) to reduce the area of the cell footprint. | Плотность FeRAM может быть поднята за счёт улучшения технологии процесса производства FeRAM и структуры ячеек, например, благодаря разработке структур вертикальных конденсаторов (по аналогии с DRAM) для уменьшения области воздействия на ячейку. |
| DRAM data is stored as the presence or lack of an electrical charge in the capacitor, with the lack of charge in general representing "0". | Данные в DRAM хранятся в виде наличия или отсутствия электрического заряда на конденсаторе, причём отсутствие заряда обозначается как «0». |
| In terms of construction, FeRAM and DRAM are similar, and can in general be built on similar lines at similar sizes. | FeRAM и DRAM схожи по своей конструкции, причём даже могут быть произведены на схожих линиях при схожих размерах. |
| NRAM is one of a variety of new memory systems, many of which claim to be "universal" in the same fashion as NRAM - replacing everything from flash to DRAM to SRAM. | NRAM - одна из множества новых систем памяти, большинство из которых позиционируются в качестве «универсальных», аналогично NRAM - обещается замена всему, начиная с флеш-памяти и заканчивая DRAM и SRAM. |
| Taiwan is the world's largest supplier of contract computer chip manufacturing (foundry services) and is a leading LCD panel manufacturer, DRAM computer memory, networking equipment, and consumer electronics designer and manufacturer. | Тайвань является крупнейшим в мире поставщиком компьютерных чипов и ведущим производителем жидкокристаллических дисплеев (рынок которых вырос в 2011 году на 32 %), компьютерной памяти DRAM, сетевого оборудования, а также разработчиком и производителем бытовой электроники. |
| It does seem reasonable to suggest that FeRAM would require less charge than DRAM, because DRAMs need to hold the charge, whereas FeRAM would have been written to before the charge would have drained. | По этой причине можно говорить о том, что FeRAM требует меньший уровень заряда, чем DRAM, так как чипы DRAM нуждаются в удержании заряда, тогда как FeRAM будет перезаписан, прежде чем заряд будет слит. |
| These counters allow a user with root access to specify a threshold of correctable ECCs that can be taken from the DRAM controller before an MCE is issued. | Счетчики позволяют пользователю root задать порог корректируемых ECC, которые могут быть получены от контроллера DRAM до вызова MCE. |
| This feature lets administrators of large server systems ignore infrequent ECC errors caused by cosmic radiation but be alerted via the MCE mechanism when a DRAM chip is failing. | Это свойство даёт возможность администраторам больших систем серверов игнорировать нечастые ошибки ЕСС, вызванные радиацией, но в то же время получать уведомление с помощью механизма МСЕ в случае сбоя схемы DRAM. |
| Dual-channel should not be confused with double data rate (DDR), in which data exchange happens twice per DRAM clock. | Не следует путать термин Двухканальный режим с двойной скоростью передачи данных (DDR), в котором обмен данными происходит дважды во время одного тика DRAM. |
| This is achieved by stacking up to eight DRAM dies, including an optional base die with a memory controller, which are interconnected by through-silicon vias (TSV) and microbumps. | Это достигается путём объединения в стек до восьми интегральных схем DRAM (включая опциональную базовую схему с контроллером памяти), которые соединены между собой с помощью сквозных кремниевых межсоединений (англ. Through-silicon via) и микроконтактных выводов (англ. microbumps). |
| Some embarrassingly parallel computational problems are already limited by the von Neumann bottleneck between the CPU and the DRAM. | В некоторых чрезвычайно параллельных (embarrassingly parallel) вычислительных задачах уже архитектура фон Неймана ставит ограничения в виде узкого места между CPU и DRAM (Узкое место архитектуры фон Неймана). |
| In general, the term RAM refers solely to solid-state memory devices (either DRAM or SRAM), and more specifically the main memory in most computers. | Термин RAM относится только к устройствам твёрдотельной памяти SRAM или DRAM - основной памяти большинства современных компьютеров. |
| NRAM reads and writes are both "low energy" in comparison to flash (or DRAM for that matter due to "refresh"), meaning NRAM could have longer battery life. | Процессы чтения и записи малозатратны в плане энергии по сравнению с флеш-памятью (или DRAM, с этой точки зрения), подразумевая, что NRAM будет способствовать более продолжительной жизни батареи в обычных устройствах. |
| A study found data remanence in DRAM with data retention of seconds to minutes at room temperature and "a full week without refresh when cooled with liquid nitrogen." | В другом исследовании обнаружена остаточная информация в DRAM, вновь со временем затухания от секунд до минут при комнатной температуре и «целая неделя без питания при охлаждении жидким азотом». |
| Although the exact amount of power savings depends on the nature of the work - more frequent writing will require more power - in general MRAM proponents expect much lower power consumption (up to 99% less) compared to DRAM. | Хотя точное количество сберегаемой энергии зависит от характера работы, - более частая запись потребует больше энергии, - в целом ожидается более низкое энергопотребление (до 99 % меньше) в сравнении с DRAM. |
| Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. | Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. |
| 0 bits flipped 1 bit flipped 2 bits flipped 3 bits flipped Data degradation in dynamic random-access memory (DRAM) can occur when the electric charge of a bit in DRAM disperses, possibly altering program code or stored data. | 0 битов изменено 1 бит изменён 2 бита изменены 3 бита изменены Деградация данных в DRAM может случиться, когда электрический заряд бита в DRAM исчезает, возможно, изменяя код программы или данные. |
| It is the largest independent producer of DRAM memory modules, currently owning 64% of the third-party worldwide DRAM module market share, according to IHS. | Является крупнейшим независимым производителем модулей памяти DRAM, в настоящее время владеет 46 % мирового рынка модулей DRAM, согласно iSuppli. |
| The vast majority of power used in DRAM is used for refresh, so it seems reasonable to suggest that the benchmark quoted by STT-MRAM researchers is useful here too, indicating power usage about 99% lower than DRAM. | Значительная часть энергии, используемой DRAM, тратится на регенерацию, поэтому результаты измерений, на которые ссылаются разработчики TTR-MRAM, здесь также вполне уместны, свидетельствуя об энергопотреблении на 99 % ниже по сравнению с DRAM. |
| Each Blue Gene/L Compute or I/O node was a single ASIC with associated DRAM memory chips. | Каждый Blue Gene/L узел вычисления или ввода/вывода - это одиночная ASIC (интегральная схема специального назначения), объединенная с DRAM чипом памяти. |
| Computer architects have become stymied by the growing mismatch in CPU operating frequencies and DRAM access times. | В определённый период разработчики компьютеров оказались в тупике, связанном с растущим несоответствием между рабочими частотами ЦПУ и временем доступа к DRAM. |
| DRAM cells scale directly with the size of the semiconductor fabrication process being used to make it. | Размеры элемента DRAM определяются напрямую размерностью процесса производства полупроводников, используемого при их производстве. |
| In DRAM, the charge deposited on the metal plates leaks across the insulating layer and the control transistor, and disappears. | В DRAM заряд, расположенный на металлических электродах, утекает через изоляционный слой и управляющий транзистор, в результате чего исчезает совсем. |
| This was because the DRAM used for main memory had significant latency, up to 120 ns, as well as refresh cycles. | Это было необходимо из-за того, что используемая как системная ОЗУ DRAM имела значительные задержки (до 120 нс), и требовала такты для обновления. |