Примеры в контексте "Dram - Dram"

Все варианты переводов "Dram":
Примеры: Dram - Dram
The Revision F of AMD Opteron processors adds support for MCE Threshold counters for DRAM. Версия F процессоров включает поддержку пороговых счетчиков MCE для DRAM.
Reading, however, is somewhat different than in DRAM. Однако принцип чтения отличается от реализации в DRAM.
In theory, this means that FeRAM could be much faster than DRAM. В теории это означает, что FeRAM может быть быстрее DRAM.
The SpursEngine employs dedicated XDR DRAM as its working memory. SpursEngine использует выделенную XDR DRAM память в качестве рабочей.
With further advances in materials, this process should allow for densities higher than those possible in DRAM. С дальнейшими преимуществами в материалах этот процесс должен позволить достичь больших плотностей, чем те, что возможны в DRAM.
In 2002, Corsair began shipping DRAM modules that were designed to appeal to computer enthusiasts, who were using them for overclocking. В 2002 году Corsair начала производить модули DRAM, специально для энтузиастов, которые использовали их для разгона.
Iris Pro Graphics was the first in the series to incorporate embedded DRAM. Iris Pro Graphics была первой в серии, которая включала встроенную DRAM.
All node components were embedded on one chip, with the exception of 512 MB external DRAM. Все узлы-компоненты системы встроены в один чип, за исключением 512 Мб внешней DRAM.
DRAM may be altered by cosmic rays or other high-energy particles. DRAM может быть изменена космическими лучами или другими частицами высоких энергий.
The key advantage to FeRAM over DRAM is what happens between the read and write cycles. Ключевым преимуществом FeRAM перед DRAM является то, что происходит между циклами чтения и записи.
DRAM includes capacitors, which are essentially two small metal plates with a thin insulator between them. DRAM состоит из некоторого числа конденсаторов, представляющих собой, по сути, две небольших металлических пластины с тонким слоем диэлектрика между ними.
Equipped with 2.25 MiB embedded DRAM (eDRAM) on TSMC's 65 nm process, being the first in the GoForce product line. Оснащен 2.25 МБ встроенной памяти eDRAM (embedded DRAM) от TSMC, изготовленной по 65-нм технологическому процессу.
Unlike DRAM, NRAM does not require power to "refresh" it, and will retain its memory even after power is removed. Более того, в отличие от DRAM, NRAM не требует энергии для «обновления» данных, и будет удерживать данные даже после отключения питания.
In addition it uses a VIA Cicada Simpliphy vt6122 Gigabit Ethernet chipset, and a Hynix 32 Mbit DDR Synchronous DRAM chip. Сетевое подключение обеспечивает чипсет VIA Cicada Simpliphy vt6122 Gigabit Ethernet, и оперативная память Hynix 32 Mb DDR Synchronous DRAM.
In the 1980s, a tiny CPU that executed FORTH was fabricated into a DRAM chip to improve PUSH and POP. В 1980-х годах, крошечный процессор, исполняющий программы FORTH был изготовлен в DRAM чипе для ускорения операций PUSH и POP.
Increasing interface speeds require fetching larger blocks of data in order to keep the interface busy without violating the internal DRAM frequency limit. Увеличение скоростей интерфейса требует бо́льших блоков данных для удержания загруженности интерфейса, не нарушая при этом внутренний предел частоты DRAM.
NRAM has a density, at least in theory, similar to that of DRAM. NRAM обладает плотностью, по крайней мере, в теории, сходной с DRAM.
However, the standard only specifies 8n-prefetch DRAM, and does not include the flash memory commands. Однако стандарт включает в себя описание только DRAM типа 8n-prefetch, и не описывает команды управления для флеш-памяти.
It's produced on the TSMC 28LP process and paired with three DDR3L DRAM chips to attain a certain bandwidth, for an aggregate 768MB capacity. Он основан на FPGA семейства Altera Arria V GX, произведённом в процессе TSMC 28LP, в сочетании с тремя чипами DRAM DDR3L для достижения определенной пропускной способности для совокупной ёмкости 768 МБ.
NRAM can theoretically reach performance similar to SRAM, which is faster than DRAM but much less dense, and thus much more expensive. NRAM теоретически может достичь производительности, сходной с SRAM, которая быстрее DRAM, но обладает значительно меньшей плотностью размещения, из-за чего и стоит гораздо дороже.
Apple's A9 chipset is onboard together with an SK Hynix RAM module believed to be "likely the same 2 GB LPDDR4 mobile DRAM found in the iPhone 6s". Микропроцессор Apple A9, поставляемый вместе с модулем RAM, считается «тем же, что и мобильный DRAM LPDDR4 размером 2 Гб в iPhone 6s».
For DRAM, this appears to be a problem at around 55 nm, at which point the charge stored in the capacitor is too small to be detected. Для DRAM это превращается в проблему при 55 нм, так как при таком размере величина заряда, хранимого конденсатором, становится слишком маленькой для обнаружения.
Each computer's memory includes 256 KB of EEPROM, 256 MB of DRAM, and 2 GB of flash memory. Каждый компьютер включает в себя 256 кБ EEPROM, 256 МБ DRAM, и 2 ГБ флэш-памяти.
NRAM has terminals and electrodes roughly the same size as the plates in a DRAM, the nanotubes between them being so much smaller they add nothing to the overall size. NRAM в этом схожа, обладая клеммами и электродами приблизительно такого же размера, что и пластины в DRAM, а нанотрубки между ними существенно меньших размеров, поэтому их размер никак не влияет на общий размер ячейки.
This means that NRAM might compete with DRAM in terms of cost, but also require less power, and as a result also be much faster because write performance is largely determined by the total charge needed. Это означает, что NRAM будет конкурировать с DRAM не только за счет стоимости, но и благодаря меньшему потреблению энергии для запуска, и в итоге будет существенно быстрее (производительность операций записи в основном определяется необходимостью накопления полного заряда).