| PRAM exhibits higher resistance to radiation. | PRAM демонстрирует более высокую устойчивость к радиации. |
| This makes them useful for encoding binary information on thin films of chalcogenides and forms the basis of rewritable optical discs and non-volatile memory devices such as PRAM. | Это делает их полезными для кодирования бинарной информации на тонких пленках халькогенидов и составляет основу перезаписываемых оптических дисков и энергонезависимых запоминающих устройств типа PRAM. |
| PRAM's temperature sensitivity is perhaps its most notable drawback, one that may require changes in the production process of manufacturers incorporating the technology. | Чувствительность PRAM к температуре, возможно, является самой заметной проблемой, решение которой может потребовать изменений в производственном процессе у поставщиков, заинтересованных в технологии. |
| Note: If something has gone wrong, you can always reset your PRAM back to the default values by holding down command + option + p + r before powering on your machine. | Примечание: Если что-то произошло не так, вы всегда можете переустановить PRAM назад к значениям по умолчанию, удерживая command + option + p + r перед загрузкой компьютера. |
| PRAM can offer much higher performance in applications where writing quickly is important, both because the memory element can be switched more quickly, and also because single bits may be changed to either 1 or 0 without needing to first erase an entire block of cells. | PRAM может предложить существенно более высокую производительность в областях, требующих быстрой записи, за счёт того, что элементы памяти могут быстрее переключаться, а также благодаря тому, что значение отдельных битов можно изменить на 1 или 0 без предварительного стирания целого блока ячеек. |
| Although PRAM has not yet reached the commercialization stage for consumer electronic devices, nearly all prototype devices make use of a chalcogenide alloy of germanium, antimony and tellurium (GeSbTe) called GST. | Хотя PRAM пока не достиг коммерческого успеха в области бытовой электроники, почти все прототипы используют халькогениды в сочетании с германием, сурьмой и теллуром (GeSbTe), сокращённо именуемыми GST. |
| PRAM's high performance, thousands of times faster than conventional hard drives, makes it particularly interesting in nonvolatile memory roles that are currently performance-limited by memory access timing. | Высокая производительность PRAM, которая в тысячу раз быстрее, чем обычные жёсткие диски, делает её чрезвычайно интересной с точки зрения энергонезависимой памяти, производительность которой в настоящее время ограничена временем доступа (к памяти). |
| The manufacturer using PRAM parts must provide a mechanism to program the PRAM "in-system" after it has been soldered in place. | Производитель, использующий части PRAM, должен обеспечивать механизм для программирования чипов PRAM уже «в системе», то есть после их припаивания к плате. |
| However, a January 2006 Samsung Electronics patent application indicates PRAM may achieve switching times as fast as five nanoseconds. | Однако в январе 2006 года корпорация Samsung Electronics запатентовала технологию, свидетельствующую о том, что PRAM может достигать времени переключения в пять наносекунд. |
| The PRAM material itself is scalable but requires a larger current source. | Материал для PRAM сам по себе является масштабируемым, но требует значительно больший источник тока. |
| PRAM lifetime is limited by mechanisms such as degradation due to GST thermal expansion during programming, metal (and other material) migration, and other mechanisms still unknown. | Время жизни чипа PRAM ограничено механизмами, вроде деградации из-за расширения GST при нагревании во время программирования, смещения металлов (и других материалов), а также пока ещё не исследованных факторов. |