| Born in Toffo, Benin, his name means "tree of iron" (gan, iron and tin, tree), which explains his coat of arms. | Уроженец Бенина, его имя означает железное дерево (gan - дерево и tin - железо), которым объясняется его герб. |
| Shuji Nakamura, known as the inventor of first high brightness GaN LED and Shigenori Maruyama, awarded the 2014 Nobel Prize in Physics. | Шудзи Накамура, известный как изобретатель первой высокой яркости GAN LED и Shigenori Maruyama, удостоен Нобелевской премии 2014 года по физике. |
| METHOD FOR PRODUCING CUBICAL GaN FILMS ON SUBTRACTS OF A POROUS GaAs LAYER | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК КУБИЧЕСКОГО GaN, НА ПОДЛОЖКАХ ПОРИСТОГО GaAs |
| Since June 19, 2005, UMA is a part of the ETSI 3GPP standardization process under the GAN (Generic Access Network) Group. | С 19 июня 2005, UMA является частью процесса стандартизации ETSI 3GPP в группе GAN. |
| It was originally developed by an independent industry consortium and was incorporated into the 3GPP standards in 2005 under the name GAN (Generic Access Network). | Изначально он был разработан независимым промышленным консорциумом и был включен в стандарты 3GPP в 2005 году под названием GAN (Generic Access Network). |
| The National Art Gallery (Galería de Arte Nacional; GAN) also known as Gallery of National Art is located in the Plaza Morelos area of Caracas, Venezuela. | Национальная художественная галерея (исп. Galería de Arte Nacional; GAN) располагается в районе Пласа Морелос в Каракасе, столице Венесуэлы. |
| Potential markets for high-power/high-frequency devices based on GaN include microwave radio-frequency power amplifiers (such as those used in high-speed wireless data transmission) and high-voltage switching devices for power grids. | Потенциальные рынки для высокомощных и высокочастотных приборов на основе GaN включают в себя СВЧ (радиочастотные усилители мощности) и высоковольтные коммутационные устройства для электрических сетей. |
| The inventive method for producing cubical GaN films on subtracts based on a porous GaAs layers consists in displacing the maximum of the operating frequency range of the films towards high (ultra-violet) frequencies. | Представлен способ получения пленок GaN на пористых слоях GaAs с перемещением максимума рабочего диапазона частот пленок в сторону высоких (ультрафиолетовых) частот. |