It's produced on the TSMC 28LP process and paired with three DDR3L DRAM chips to attain a certain bandwidth, for an aggregate 768MB capacity. |
Он основан на FPGA семейства Altera Arria V GX, произведённом в процессе TSMC 28LP, в сочетании с тремя чипами DRAM DDR3L для достижения определенной пропускной способности для совокупной ёмкости 768 МБ. |
This means that NRAM might compete with DRAM in terms of cost, but also require less power, and as a result also be much faster because write performance is largely determined by the total charge needed. |
Это означает, что NRAM будет конкурировать с DRAM не только за счет стоимости, но и благодаря меньшему потреблению энергии для запуска, и в итоге будет существенно быстрее (производительность операций записи в основном определяется необходимостью накопления полного заряда). |
Ferroelectric RAM (FeRAM, F-RAM or FRAM) is a random-access memory similar in construction to DRAM but using a ferroelectric layer instead of a dielectric layer to achieve non-volatility. |
Сегнетоэлектрическая оперативная память (Ferroelectric RAM, FeRAM или FRAM) - оперативная память, по своему устройству схожая с DRAM, но использующая слой сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. |
It was otherwise identical to the 1984 design, except for the two 64 kilobit× 4 bit DRAM chips that replaced the original eight 64 kilobit× 1 bit ICs. |
В общем она была идентичной плате образца 1984 года, за исключением того, что вместо изначально использовавшихся восьми одинарных 64 Кбит модулей (64 kbit×1) теперь использовались два счетверённых 64 Кбит модуля (64 kbit×4) памяти типа DRAM. |
DRAM uses a small capacitor as a memory element, wires to carry current to and from it, and a transistor to control it - referred to as a "1T1C" cell. |
В памяти типа DRAM в качестве элементов памяти используются конденсаторы, проводники переносят ток к ним и от них, и управляющий транзистор - так называемая ячейка «1T/1C». |