| CHF3 is used in the semiconductor industry in plasma etching of silicon oxide and silicon nitride. | CHF3 используется в полупроводниковой промышленности при плазменном травлении оксида кремния и нитрида кремния. |
| In the second stage, a mixture comprising cubic boron nitride powder, metallic aluminium, a high-melting metal carbide and a catalyst is prepared. | На втором этапе готовят смесь, содержащую порошок кубического нитрида бора, металлический алюминий, карбид тугоплавкого металла и катализатор. |
| The technical result is a decrease of the corrosion rate of the materials of the container containing the melt, and an increase in the quality of the single crystals of gallium nitride obtained. | Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия. |
| The cubic γ-Si 3N 4 is often designated as c modification in the literature, in analogy with the cubic modification of boron nitride (c-BN). | Кубическая γ-Si3N4 форма часто называется «с-модификацией» в литературе, по аналогии с кубической модификацией нитрида бора (с-BN). |
| It is used in electronics microfabrication alone or in combination with oxygen as a plasma etchant for silicon, silicon dioxide, and silicon nitride. | В микроэлектронике, отдельно, или в сочетании с кислородом в процессах плазменного травления на кремния, диоксида кремния или нитрида кремния. |
| The inventive aluminium-based powder composite mixture comprises components with the following component ratio: 41-43 mass % silicon, 4,1-5.2 mass % nickel, 0.05-0.1 mass % phosphorus and 0.01-0.05 mass % aluminium nitride, the rest being aluminium. | Заявлена порошковая композиционная смесь на основе алюминия которая содержит компоненты в следующем соотношении, в масс.%: кремний 41-43, никель 4,1-5,2, фосфор 0,05-0,1, нитрид алюминия 0,01-0,05, алюминий - остальное. |
| Silicon nitride has a negligible etch rate in TMAH; the etch rate for silicon dioxide in TMAH varies with the quality of the film, but is generally on the order of 0.1 nm/minute. | Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в ТМАН; скорость травления в ТМАН для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| Found that he was gathering Intel on a semiconductor called Gallium Nitride. | Обнаружили, что он собирал информацию на полупроводник, называющийся нитрид галлия. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| They were trying to get information on Gallium Nitride. | Они старались получить информацию о нитриде галлия. |
| Confirmation that Spears did steal data on Gallium Nitride. | Подтвердилось, что Спирс крал информацию по нитриду галлия. |
| Spears was sending this guy information on Gallium Nitride. | Спирс отправлял этому парню данные по нитриду галлия. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |