| CHF3 is used in the semiconductor industry in plasma etching of silicon oxide and silicon nitride. | CHF3 используется в полупроводниковой промышленности при плазменном травлении оксида кремния и нитрида кремния. |
| In the second stage, a mixture comprising cubic boron nitride powder, metallic aluminium, a high-melting metal carbide and a catalyst is prepared. | На втором этапе готовят смесь, содержащую порошок кубического нитрида бора, металлический алюминий, карбид тугоплавкого металла и катализатор. |
| The technical result is a decrease of the corrosion rate of the materials of the container containing the melt, and an increase in the quality of the single crystals of gallium nitride obtained. | Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия. |
| The compacted powder is placed in a chamber and subjected to thermobaric action with a pressure of 5.3-5.8 GPa at a temperature of 1380-1580ºC for 12-20 s, followed by pulverizing of the cake and extraction of the cubic boron nitride powder by a gas or liquid classification method. | Уплотненный порошок размещают в камере и подвергают термобарическому воздействию давлением 5,3-5,8 ГПа при температуре 1380-1580ºС в течение 12-20 с, с последующим измельчением спека и вьщелением порошка кубического нитрида бора методом газовой или жидкостной классификации. |
| METHOD FOR PRODUCING CUBIC BORON NITRIDE POWDER | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА |
| Silicon nitride is often used as an insulator and chemical barrier in manufacturing ICs. | Также нитрид кремния часто используют как изолятор и химический барьер при производстве интегральных микросхем. |
| Silicon nitride has a negligible etch rate in TMAH; the etch rate for silicon dioxide in TMAH varies with the quality of the film, but is generally on the order of 0.1 nm/minute. | Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в ТМАН; скорость травления в ТМАН для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| Stolen undercover aliases from 20 years ago I can sell to SecDef over the phone, but advanced Gallium Nitride in enemy hands is a different beast. | Об украденных псевдонимах 20-летней давности я могу сообщить министру обороны по телефону, но продвинутый нитрид галлия в руках врага - это другой зверь. |
| Aluminium nitride is stable in hydrogen and carbon dioxide atmospheres up to 980 ºC. The material dissolves slowly in mineral acids through grain boundary attack, and in strong alkalies through attack on the aluminium nitride grains. | Нитрид алюминия устойчив в атмосферах водорода и углекислого газа до 980 ºC. Материал медленно распадается в неорганических кислотах при контакте жидкости с границами зёрен, как и в случае с сильными щелочами. |
| Found that he was gathering Intel on a semiconductor called Gallium Nitride. | Обнаружили, что он собирал информацию на полупроводник, называющийся нитрид галлия. |
| The production was soon stopped because gallium nitride showed 10-100 times brighter emission. | Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. | Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. |
| This is all about Gallium Nitride. | Все дело в нитриде галлия. |