| In the second stage, a mixture comprising cubic boron nitride powder, metallic aluminium, a high-melting metal carbide and a catalyst is prepared. | На втором этапе готовят смесь, содержащую порошок кубического нитрида бора, металлический алюминий, карбид тугоплавкого металла и катализатор. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| A mixture comprising hexagonal boron nitride powder, a catalyst powder and a modifying additive containing nano-sized particle fractions is prepared, and preliminary compaction is carried out in a mould. | Готовят смесь, содержащую порошок гексагонального нитрида бора, порошок катализатора и модифицирующую добавку с частицами наноразмерных фракций, и осуществляют предварительное уплотнение в пресс-форме. |
| The inventive method for producing said powder composite mixture consists in preparing a melt containing aluminium, silicon and nickel and, subsequently, in pulverising said melt by nitrogen at a temperature and pressure which enable the aluminium nitride to be formed. | Способ получения заявленной композиционной смеси включает приготовление расплава, содержащего алюминий, кремний никель и фосфор, и последующее распыление расплава азотом при давлении и температуре, обеспечивающих образование нитрида алюминия. |
| It is used in electronics microfabrication alone or in combination with oxygen as a plasma etchant for silicon, silicon dioxide, and silicon nitride. | В микроэлектронике, отдельно, или в сочетании с кислородом в процессах плазменного травления на кремния, диоксида кремния или нитрида кремния. |
| Products are manufactured in cemented carbide and other hard materials such as diamond, cubic boron nitride and special ceramics. | Продукция производится из цементированного карбида и других твёрдых материалов, таких как алмаз, кубический нитрид бора и специальная керамика. |
| Silicon nitride is often used as an insulator and chemical barrier in manufacturing ICs. | Также нитрид кремния часто используют как изолятор и химический барьер при производстве интегральных микросхем. |
| Nevertheless, nitrogen gas does react with the alkali metal lithium to form compound lithium nitride (Li3N), even under ordinary conditions. | Тем не менее, азот реагирует со щелочным металлом литием, образуя нитрид лития (Li3N) даже в обычных условиях. |
| It is the only stable alkali metal nitride. | Единственный устойчивый нитрид щелочных металлов. |
| A specialised titanium nitride (TiN) plating on the tap and drill add extra durability and excellent resistance to abrasion. | Специальное покрытие нитрид титана (TiN) на метчике/плашке и сверле увеличивает их срок службы и сопротивление абразивному износу. |
| The production was soon stopped because gallium nitride showed 10-100 times brighter emission. | Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| The technical result is a decrease of the corrosion rate of the materials of the container containing the melt, and an increase in the quality of the single crystals of gallium nitride obtained. | Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. | Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. |