| The technical result is a decrease of the corrosion rate of the materials of the container containing the melt, and an increase in the quality of the single crystals of gallium nitride obtained. | Технический результат: снижение скорости коррозии материалов контейнера, содержащего расплав, и повышение качества получаемых монокристаллов нитрида галлия. |
| The cubic γ-Si 3N 4 is often designated as c modification in the literature, in analogy with the cubic modification of boron nitride (c-BN). | Кубическая γ-Si3N4 форма часто называется «с-модификацией» в литературе, по аналогии с кубической модификацией нитрида бора (с-BN). |
| I'm combining a multistage, ultraviolet treatment with hybrid silicon nitride materials | Я скомбинировал многоступенчатую, ультрафиолетовую обработку с гибридными материалами из нитрида кремния |
| It is used in electronics microfabrication alone or in combination with oxygen as a plasma etchant for silicon, silicon dioxide, and silicon nitride. | В микроэлектронике, отдельно, или в сочетании с кислородом в процессах плазменного травления на кремния, диоксида кремния или нитрида кремния. |
| In the first stage, a cubic boron nitride powder comprising fractions of a minimum of 25% having particle sizes of less than 100 nm is produced by sintering hexagonal boron nitride powder in the presence of a catalyst in a high-pressure chamber for 1-15 sec. | На первом этапе получают порошок кубического нитрида бора, содержащий не менее 25% фракций с размерами частиц менее 100 нм, путем спекания порошка гексагонального нитрида бора в присутствии катализатора в камере высокого давления в течение 1-15 сек. |
| Nevertheless, nitrogen gas does react with the alkali metal lithium to form compound lithium nitride (Li3N), even under ordinary conditions. | Тем не менее, азот реагирует со щелочным металлом литием, образуя нитрид лития (Li3N) даже в обычных условиях. |
| Silicon nitride is difficult to produce as a bulk material-it cannot be heated over 1850 ºC, which is well below its melting point, due to dissociation to silicon and nitrogen. | Нитрид кремния трудно получить в качестве единого материала из-за того что он не может быть нагрет более 1850 ºC - это значительно ниже температуры плавления (кремний и азот диссоциируют). |
| The inventive aluminium-based powder composite mixture comprises components with the following component ratio: 41-43 mass % silicon, 4,1-5.2 mass % nickel, 0.05-0.1 mass % phosphorus and 0.01-0.05 mass % aluminium nitride, the rest being aluminium. | Заявлена порошковая композиционная смесь на основе алюминия которая содержит компоненты в следующем соотношении, в масс.%: кремний 41-43, никель 4,1-5,2, фосфор 0,05-0,1, нитрид алюминия 0,01-0,05, алюминий - остальное. |
| Silicon nitride has a negligible etch rate in TMAH; the etch rate for silicon dioxide in TMAH varies with the quality of the film, but is generally on the order of 0.1 nm/minute. | Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в ТМАН; скорость травления в ТМАН для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| They were trying to get information on Gallium Nitride. | Они старались получить информацию о нитриде галлия. |
| Confirmation that Spears did steal data on Gallium Nitride. | Подтвердилось, что Спирс крал информацию по нитриду галлия. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. | Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. |
| This is all about Gallium Nitride. | Все дело в нитриде галлия. |