| CHF3 is used in the semiconductor industry in plasma etching of silicon oxide and silicon nitride. | CHF3 используется в полупроводниковой промышленности при плазменном травлении оксида кремния и нитрида кремния. |
| In the second stage, a mixture comprising cubic boron nitride powder, metallic aluminium, a high-melting metal carbide and a catalyst is prepared. | На втором этапе готовят смесь, содержащую порошок кубического нитрида бора, металлический алюминий, карбид тугоплавкого металла и катализатор. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| The inventive method for producing said powder composite mixture consists in preparing a melt containing aluminium, silicon and nickel and, subsequently, in pulverising said melt by nitrogen at a temperature and pressure which enable the aluminium nitride to be formed. | Способ получения заявленной композиционной смеси включает приготовление расплава, содержащего алюминий, кремний никель и фосфор, и последующее распыление расплава азотом при давлении и температуре, обеспечивающих образование нитрида алюминия. |
| METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTALS OF GALLIUM NITRIDE | СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ |
| Products are manufactured in cemented carbide and other hard materials such as diamond, cubic boron nitride and special ceramics. | Продукция производится из цементированного карбида и других твёрдых материалов, таких как алмаз, кубический нитрид бора и специальная керамика. |
| Silicon nitride is difficult to produce as a bulk material-it cannot be heated over 1850 ºC, which is well below its melting point, due to dissociation to silicon and nitrogen. | Нитрид кремния трудно получить в качестве единого материала из-за того что он не может быть нагрет более 1850 ºC - это значительно ниже температуры плавления (кремний и азот диссоциируют). |
| Silicon nitride has a negligible etch rate in TMAH; the etch rate for silicon dioxide in TMAH varies with the quality of the film, but is generally on the order of 0.1 nm/minute. | Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в ТМАН; скорость травления в ТМАН для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| Found that he was gathering Intel on a semiconductor called Gallium Nitride. | Обнаружили, что он собирал информацию на полупроводник, называющийся нитрид галлия. |
| The production was soon stopped because gallium nitride showed 10-100 times brighter emission. | Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. |
| The invention relates to a technique for growing semiconductor materials and may be used for obtaining single crystals of gallium nitride and also solid solutions based thereon. | Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения монокристаллов нитрида галлия, а также твердых растворов на его основе. |
| The problem to be solved by the invention is the creation of a method for growing single crystals of gallium nitride with a composition of flux that is chemically inert with respect to the majority of the construction materials used for the manufacturing of the containers. | Задачей, на решение которой направлено изобретение, является создание способа выращивания монокристаллов нитрида галлия с составом флюса, являющимся химически инертным по отношению к большинству конструкционных материалов, используемых для изготовления контейнеров. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |