| CHF3 is used in the semiconductor industry in plasma etching of silicon oxide and silicon nitride. | CHF3 используется в полупроводниковой промышленности при плазменном травлении оксида кремния и нитрида кремния. |
| The cubic γ-Si 3N 4 is often designated as c modification in the literature, in analogy with the cubic modification of boron nitride (c-BN). | Кубическая γ-Si3N4 форма часто называется «с-модификацией» в литературе, по аналогии с кубической модификацией нитрида бора (с-BN). |
| The inventive method for producing said powder composite mixture consists in preparing a melt containing aluminium, silicon and nickel and, subsequently, in pulverising said melt by nitrogen at a temperature and pressure which enable the aluminium nitride to be formed. | Способ получения заявленной композиционной смеси включает приготовление расплава, содержащего алюминий, кремний никель и фосфор, и последующее распыление расплава азотом при давлении и температуре, обеспечивающих образование нитрида алюминия. |
| METHOD FOR PRODUCING CUBIC BORON NITRIDE POWDER | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОРОШКА КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА |
| Microbor Nanotech is a new generation manufacturer of composite materials based on micro- and nano - crystalline Cubic Boron Nitride (CBN and NCBN) and cutting tools made of these materials. | Компания МИКРОБОР НАНОТЕХ является производителем нового поколения композитных материалов из Кубического Нитрида Бора (КНБ) и нано КНБ (НКНБ) и инструментов из них. |
| The production was soon stopped because gallium nitride showed 10-100 times brighter emission. | Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. |
| Silicon nitride is difficult to produce as a bulk material-it cannot be heated over 1850 ºC, which is well below its melting point, due to dissociation to silicon and nitrogen. | Нитрид кремния трудно получить в качестве единого материала из-за того что он не может быть нагрет более 1850 ºC - это значительно ниже температуры плавления (кремний и азот диссоциируют). |
| Silicon nitride has a negligible etch rate in TMAH; the etch rate for silicon dioxide in TMAH varies with the quality of the film, but is generally on the order of 0.1 nm/minute. | Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в ТМАН; скорость травления в ТМАН для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту. |
| Lithium nitride has been investigated as a storage medium for hydrogen gas, as the reaction is reversible at 270 ºC. Up to 11.5% by weight absorption of hydrogen has been achieved. | Нитрид лития изучался как вещество для компактного хранения газообразного водорода, абсорбция и десорбция водорода обратимы и происходят при сравнительно низкой температуре ~270 ºC. В опытах было достигнуто поглощение водорода веществом до 11,5 % по массе. |
| Stolen undercover aliases from 20 years ago I can sell to SecDef over the phone, but advanced Gallium Nitride in enemy hands is a different beast. | Об украденных псевдонимах 20-летней давности я могу сообщить министру обороны по телефону, но продвинутый нитрид галлия в руках врага - это другой зверь. |
| Confirmation that Spears did steal data on Gallium Nitride. | Подтвердилось, что Спирс крал информацию по нитриду галлия. |
| Spears was sending this guy information on Gallium Nitride. | Спирс отправлял этому парню данные по нитриду галлия. |
| The production was soon stopped because gallium nitride showed 10-100 times brighter emission. | Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. |
| Which just happens to use Gallium Nitride. | Которая, как совпало, использует нитрид галлия. |
| Devices incorporating more indium generally show better high-frequency performance, while in recent years, gallium nitride HEMTs have attracted attention due to their high-power performance. | Например, приборы с повышенным содержанием индия в общем случае показывают лучшую производительность на высоких частотах, в то время как в последние годы наблюдается массовый рост научно-исследовательских разработок ТВПЭ на нитриде галлия (GaN), в связи с их лучшей производительностью при высоких мощностях. |