| This charge alters the MOS transistor threshold voltage to represent a logic '0' state. | Этот заряд изменяет пороговое напряжение МОП-транзистора для представления логического состояния «0». |
| Flash memory works by modulating charge (electrons) stored within the gate of a MOS transistor. | Флеш-память работает за счёт изменения уровня заряда (электронов), хранимого внутри за затвором МОП-транзистора. |
| Since the charge carriers can become trapped in the gate dielectric of a MOS transistor, the switching characteristics of the transistor can be permanently changed. | Так как носители заряда могут быть пойманы затвором диэлектрика МОП-транзистора, то переключение характеристик транзистора может быть произведено навсегда. |
| In one of variants, the system comprises first and second field transistors instead of the MOS transistor. | Как вариант система содержит вмест МОП-транзистора первый и второй полевые транзисторы. |