| Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD) - Similar to PECVD except that the wafer substrate is not directly in the plasma discharge region. | Усиленный непрямой плазмой CVD (англ. Remote plasma-enhanced CVD (RPECVD)) - в отличие от PECVD, в плазме газового разряда происходит только разложение прекурсоров, в то время как сама подложка не подвергается её действию. |
| The wafer is annealed at temperatures higher than the Au-Si eutectic point, creating Au-Si alloy droplets on the wafer surface (the thicker the Au film, the larger the droplets). | Подложка нагревается до температур более высоких, чем точка эвтектики Au-Si, что создает на поверхности подложки капли сплава Au-Si (чем толще плёнка Au, тем больше размер капель). |