Фотолитографии (примеров 11)
-
(a) photoresists or anti-reflective coatings for photolithography processes;
а) фоторезисты или антибликовые покрытия для процессов фотолитографии;
-
PFOS reduces the surface tension and reflectivity of etching solutions, properties that are important for precise photolithography in the semiconductor industry (photo resists and photo masks).
ПФОС уменьшает поверхностное натяжение и отражательную способность травильных растворов; эти свойства важны для точной фотолитографии в полупроводниковой промышленности (фоторезисты и фотошаблоны).
-
Small amounts of PFOS-based compounds are required during the following critical photolithography applications in manufacturing semiconductor chips:
Небольшое количество соединений на основе ПФОС требуется для следующих важных видов применения фотолитографии в производстве полупроводниковых плат:
-
Based on the risk management evaluation critical uses would include the following: photoresists or anti-reflective coatings for photolithography processes; photo mask rendering process; photo imaging; hydraulic fluids in aviation; and certain medical devices.
На основе оценки регулирования риска такие важнейшие виды применения будут включать в себя следующее: фоторезисторы или просветляющие покрытия для фотолитографии; получение фотолитографических оттисков; производство фотографий; авиационные гидравлические жидкости и некоторое медицинское оборудование.
-
However, photolithographic techniques have advanced to where it is possible to have minimum feature sizes on the order of tens of nanometers, making it possible to produce rectennas by means of photolithography.
Однако, в настоящее время методы фотолитографии продвинулись настолько, что стало возможным создавать минимальные размеры элементов порядка десятков нанометров, что позволяет производить наноантенны с помощью фотолитографии.